9月23日消息，根據處理器龍頭英特爾(intel) 官方公布的信息指出，英特爾將在美國亞利桑那州興建的兩座新晶圓廠(chǎng)，預計9月24 日進(jìn)行動(dòng)土奠基儀式，屆時(shí)英特爾CEO Pat Gelsinger 將會(huì )親自到場(chǎng)出席活動(dòng)。

　　今年年3月，在主題為“英特爾發(fā)力：以工程技術(shù)創(chuàng )未來(lái)”的全球直播活動(dòng)中，英特爾CEO Pat Gelsinger 分享了IDM 2.0 的愿景，重啟晶圓代工業(yè)務(wù)，為大規模擴大產(chǎn)能，英特爾還宣布投資約200 億美元在美國亞利桑那州的Octillo 園區興建兩座新的晶圓廠(chǎng)。

　　該計劃在經(jīng)過(guò)了半年的準備時(shí)間之后，英特爾正式宣布將于9 月24 日舉行新晶圓廠(chǎng)建造的動(dòng)土奠基儀式，Pat Gelsinger 將與當地主要政府官員出席這次活動(dòng)，這也將是美國亞利桑那州歷史上最大規模的私營(yíng)企業(yè)投資計劃。

　　英特爾表示，憑借其IDM 2.0 的策略，英特爾將致力于投資制造能力，以支持全球對半導體大幅成長(cháng)的需求。而公司計劃在亞利桑那州的Ocotillo 園區建造的兩座新的先進(jìn)制程晶圓廠(chǎng)將支持英特爾產(chǎn)品不斷擴大的需求，并為代工客戶(hù)提供承諾的產(chǎn)能。

　　因為呼應美國要讓半導體制造重返美國的計劃，晶圓代工龍頭臺積電就率先宣布，將在美國亞歷桑納州鳳凰城斥資120 億美元興建以5nm制程為主的晶圓廠(chǎng)。臺積電日前指出，目前該廠(chǎng)已進(jìn)入動(dòng)土施工階段，而相關(guān)員工也來(lái)臺積電極進(jìn)行訓練當中，而依照規劃時(shí)程，該廠(chǎng)將在2024 年開(kāi)始進(jìn)行大規模的量產(chǎn)。

　　而除了臺積電之外，三星也已確定在美國興建第二座晶圓廠(chǎng)，新廠(chǎng)地點(diǎn)將落腳美國德州三星第一座晶圓廠(chǎng)的附近，預計斥資170 億美元的金額。另外，該廠(chǎng)的最新市場(chǎng)消息，三星將導入閘極全環(huán)電晶體(Gate-all-around，GAA)技術(shù)，并自2026 年開(kāi)始進(jìn)一步量產(chǎn)，企圖以技術(shù)填補量產(chǎn)時(shí)間的落后，企圖彎道超車(chē)臺積電。

　　隨著(zhù)英特爾于9月24 日將舉行新晶圓廠(chǎng)動(dòng)土奠基典禮，也意味著(zhù)英特爾提升制造產(chǎn)能及在晶圓代工領(lǐng)域的布局的加速，未來(lái)在晶圓代工市場(chǎng)的競爭將更加激烈。
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