中芯國際今日回復投資者問(wèn)詢(xún)時(shí)透露，今年計劃擴建 1 萬(wàn)片成熟 12 英寸(300mm)、4.5 萬(wàn)片 8 英寸(200mm)晶圓的產(chǎn)能，以滿(mǎn)足更多的客戶(hù)需求。

　　中芯國際受美國限制以來(lái)，技術(shù)、產(chǎn)能、供需問(wèn)題一直備受關(guān)注，而如此大規模的擴產(chǎn)，表明中芯國際并不存在沒(méi)客戶(hù)、沒(méi)需求的問(wèn)題，尤其是在當今全球半導體供應緊張的情況下。

　　當然，先進(jìn)工藝技術(shù)依然暫時(shí)無(wú)解，中芯國際此次擴產(chǎn)，必然也是成熟工藝。

　　今年 7 月份的時(shí)候，中芯國際曾經(jīng)透露，一季度整體產(chǎn)能利用率高達 98.7%。

　　而位于紹興的中芯紹興，產(chǎn)能已經(jīng)爬坡到 7 萬(wàn)片晶圓/月，量產(chǎn)達到 99%。

　　FinFET 先進(jìn)工藝方面，中芯國際第一代已經(jīng)進(jìn)入成熟量產(chǎn)階段，產(chǎn)品良率達到業(yè)界標準，多個(gè)衍生平臺開(kāi)發(fā)按計劃進(jìn)行，穩步導入 NTO，正在實(shí)現產(chǎn)品的多樣化目標。

　　第二代 FinFET 技術(shù)單位面積晶體管密度大幅提高，已經(jīng)完成低電壓工藝開(kāi)發(fā)，進(jìn)入風(fēng)險量產(chǎn)。
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