據 TheLec 報道，三星電子 2020 年開(kāi)始在韓國平澤市建設的 P3 晶圓廠(chǎng)，將在下月開(kāi)始設備的安裝，計劃在今年下半年建成。

　　三星平澤 P3 晶圓廠(chǎng)下月開(kāi)始設備的安裝，是韓國媒體率先援引消息人士的透露報道的，設備的進(jìn)入及安裝將持續到 7 月份，較最初計劃的時(shí)間將提前 1 個(gè)月。

　　三星電子在平澤建設的 P3 工廠(chǎng)，占地 70 萬(wàn)平方米，將成為全球園區最大的晶圓廠(chǎng)，是三星電子 P2 工廠(chǎng)的 1.7 倍。當然，工廠(chǎng)的投資也會(huì )相當龐大，他們計劃未來(lái)幾年最少投資 30 萬(wàn)億韓元，最多則投資 50 萬(wàn)億韓元，也就是至少投資 240 億美元，最高投資 400 億美元。

　　從外媒的報道來(lái)看，三星電子平澤 P3 晶圓廠(chǎng)，規劃的是一座既生產(chǎn)存儲芯片，又生產(chǎn)邏輯芯片的工廠(chǎng)，率先投產(chǎn)的是 NAND 閃存，隨后是 DRAM，隨后是采用 3nm 工藝為其他廠(chǎng)商代工晶圓的生產(chǎn)線(xiàn)。

　　三星電子平澤 P3 晶圓廠(chǎng)率先開(kāi)始生產(chǎn) NAND 閃存，也就意味著(zhù)工廠(chǎng)設備的安裝，將從 NAND 閃存生產(chǎn)設備開(kāi)始，外媒在報道中是表示在 5 月份的第一個(gè)周就將開(kāi)始安裝。

　　值得注意的是，三星電子的這一座工廠(chǎng)，將大量采用極紫外光刻機。外媒在報道中就提到，這一工廠(chǎng)的 NAND 閃存生產(chǎn)線(xiàn)，將采用極紫外光刻機生產(chǎn)第 7 代 176 層 V-NAND 閃存，為其他廠(chǎng)商代工晶圓的 3nm 工藝，也需要極紫外光刻機。
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