據臺灣地區《經(jīng)濟日報》報道，臺積電昨日宣布，因應先進(jìn)制程強勁市場(chǎng)需求，高雄廠(chǎng)確定以 2 納米的先進(jìn)制程技術(shù)生產(chǎn)規劃。

　　臺積電在 4 月法說(shuō)會(huì )上證實(shí)高雄廠(chǎng)將 28 納米產(chǎn)線(xiàn)調整為更先進(jìn)制程技術(shù)，但當時(shí)未提到改為何種制程。臺積電目前 2 納米生產(chǎn)基地已規劃竹科、中科，后續若高雄納入，該公司將擁有三個(gè) 2 納米生產(chǎn)基地。

　　另外，據臺灣地區“中央社”消息，臺積電規劃 2 納米制程將于 2025 年量產(chǎn)，采用納米片晶體管結構。同時(shí)，臺積電在 2 納米發(fā)展出背面電軌解決方案，適用于高效能運算相關(guān)應用，目標在 2025 年下半年推出，2026 年量產(chǎn)。

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　　據IT之家此前報道，臺積電昨日還宣布和羅伯特博世公司(Robert Bosch GmbH)、英飛凌科技(Infineon Technologies AG)和恩智浦半導體(NXP Semiconductors NV)共同投資位于德國德累斯頓的歐洲半導體制造公司(ESMC)，投資總金額預估超過(guò) 100 億歐元，以提供先進(jìn)半導體制造服務(wù)。

　　該晶圓廠(chǎng)預定 2024 年下半年建廠(chǎng)，2027 年底生產(chǎn)，將由臺積電營(yíng)運，將由臺積電持有 70% 股權，博世、英飛凌和恩智浦則各持有 10% 股權。建成后預計每月生產(chǎn) 40000 片 300mm(12 英寸)晶圓，采用臺積電的 28/22 納米平面 CMOS 和 16/12 納米 FinFET 工藝技術(shù)。
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