2 月 10 日消息，科技媒體 Wccftech 昨日(2 月 9 日)發(fā)布博文，報道稱(chēng)英特爾代工業(yè)務(wù)成功爭取重量級客戶(hù)聯(lián)發(fā)科(MediaTek)，有望通過(guò)其最先進(jìn)的 14A 工藝量產(chǎn)天璣(Dimensity)移動(dòng)芯片。

　　消息源透露英特爾正積極拓展客戶(hù)，此前消息稱(chēng)蘋(píng)果公司已簽署保密協(xié)議，評估英特爾的 18A-P 工藝，并可能在 2027 年或 2028 年將部分非 Pro 系列 iPhone 芯片或低端 M 系列芯片交由英特爾生產(chǎn)。

　　此外，廣發(fā)證券(GF Securities)的分析也指出，蘋(píng)果預計于 2028 年推出的定制 ASIC 芯片可能會(huì )采用英特爾的 EMIB 封裝技術(shù)。

　　技術(shù)方面，該媒體稱(chēng)英特爾在落地方面存在挑戰。IT之家援引博文介紹，英特爾在 18A 和 14A 節點(diǎn)上全面押注了“背面供電技術(shù)”(Backside Power Delivery, BSPD)。

　　這項技術(shù)通過(guò)芯片背面更粗的金屬層供電，能有效降低電壓壓降、穩定頻率并騰出正面布線(xiàn)空間，從而提升晶體管密度。然而，這種設計也帶來(lái)了一個(gè)棘手的副作用，更嚴重的“自熱效應”(Self-Heating Effect)。

　　對于散熱空間極度受限的智能手機而言，“自熱效應”可能是一個(gè)致命傷。相比于擁有主動(dòng)散熱系統的服務(wù)器或 PC 芯片，移動(dòng) SoC 對熱功耗設計(TDP)極其敏感。如果英特爾無(wú)法通過(guò)創(chuàng )新手段有效緩解 14A 工藝的積熱問(wèn)題，聯(lián)發(fā)科天璣芯片的能效表現將面臨嚴峻挑戰。

達摩院開(kāi)源具身大腦基模R...

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